(73) Rohm and Haas Electronic Materials, LLC, Marlborough, Massachusetts
01752, 455 Forest Street (US)
(54) Selenium-/Gruppe-1B-Tinte und Verfahren zu deren Herstellung und
Verwendung
(72) Mosley, David, Philadelphia, PA, 716 Wolcott Drive (US)
(72) Calzia, Kevin, Philadelphia, PA, 816 North Judson Street (US)
(72) Szmanda, Charles, Westborough, MA, 4 Crossman Avenue (US)
(72) Thorsen, David L., Pitman, NJ, 20 Lexington Avenue (US)
(30) US 2009 09 28 568206
(73) Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives, 75015 Paris,
25, rue Leblanc Bâtiment "Le Ponant D" (FR)
(73) Chambre de Commerce et d'Industrie de Paris (Esiee Paris), 93160 Noisy-le-
Grand, Cité Descartes 2 boulevard Blaise Pascal (FR)
(54) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES FLEXIBLEN INTRAOKULAREN
RETINAIMPLANTATS MIT DOTIERTEN DIAMANTELEKTRODEN
(72) SCORSONE, Emmanuel, F-78114 Magny-les-Hameaux, 13 allée des Roses
(FR)
(72) BERGONZO, Philippe, F-91300 Massy, 7 rue de la Bergerie (FR)
(72) BONNAURON, Mathias, F-91191 Gif-sur-Yvette cedex, CEA Centre de
Saclay DRT/Valo/SAPrl-IdF Bât 446 (FR)
(72) LISSORGUES, Gaëlle, F-94170 Le Perreux-sur-Marne, 4 rue Avron (FR)
(72) ROUSSEAU, Lionel, F-94170 Le Perreux-sur-Marne, 104 boulevard Alsace
Lorraine (FR)
(30) FR 2010 06 09 1054550
(73) Cabot Microelectronics Corporation, Aurora, Illinois 60504, Legal Department
870 North Commons Drive (US)
(54) VERFAHREN ZUM POLIEREN VON NICKEL-PHOSPHOR
(72) BALASUBRAMANIAM, Venkataramanan, Aurora, IL 60504, c/o Legal
Department Cabot Microelectronics Corporation 870 North Commons Drive (US)
(72) YEUNG, Ping-Ha, Aurora, IL 60504, c/o Legal Department Cabot
Microelectronics Corporation 870 North Commons Drive (US)
(30) US 2008 07 10 170954
(73) Dai Nippon Printing Co., Ltd., Shinjuku-ku Tokyo 162-8001, 1-1 Ichigayakaga-
cho 1-Chome (JP)
(54) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES
BESCHLEUNIGUNGSSENSORS UND WINKELGESCHWINDIGKEITSSENSOR
DURCH VERWENDUNG VON EINEM VERFAHREN ZUR KORREKTUR DER
MASKENSTRUKTUR
(72) MORII, Akio, Tokyo 162-8001, c/o Dai Nippon Printing Co. Ltd. 1-1 Ichigaya-
kaga-cho 1-chome Shinjuku-ku (JP)
(30) JP 2007 11 07 2007289623
(73) IMEC, 3001 Leuven, Kapeldreef 75 (BE)
(73) Katholieke Universiteit Leuven, K.U.L. Leuven R&D, 3000 Leuven,
Minderbroedersstraat 8A bus 5105 (BE)
(54) Verfahren und Vorrichtung zur Reinigung von Halbleitersubstraten
(72) Mertens, Paul, B-2820, BONHEIDEN, Broekstraat 35 (BE)
(72) Brems, Steven, B-3010, KESSEL-LO, Liemingenstraat 36 (BE)
(72) Camerotto, Elisabeth, B-3001, HEVERLEE, Celestijnenlaan 63, bus 10, (BE)
(72) Hauptmann, Marc, B-3001, HEVERLEE, Kapelberg 56 (BE)
(73) KAWASAKI JUKOGYO KABUSHIKI KAISHA, Chuo-ku, Kobe-shi, Hyogo-ken,
1-1 Higashikawasaki-cho 3-chome (JP)
(54) Trägereinheit einer Substrattransfervorrichtung
(72) Hashimoto, Yasuhiko, Kobe-shi Hyogo-ken, 2-7-49, Chimori-cho Suma-ku
(JP)
(72) Takatori, Masao, Kobes-shi Hyogo-ken, 1-1-507, Nishiokamoto 2-chome
Higashinada-ku (JP)
(72) Hirooka, Yasuo, Akashi-shi Hyogo-ken, 300-9, Nishifutami Futami-cho (JP)
(30) JP 2006 06 12 2006162784
(73) International Business Machines Corporation, Armonk, NY 10504, New
Orchard Road (US)
(54) FORMIERUNG VERTIKALER VORRICHTUNGEN DURCH
ELEKTROPLATTIERUNG
(72) DELIGIANNI, Hariklia, Tenafly, NJ 07670, 6 Lancaster Road (US)
(72) HUANG, Qiang, Winchester, Hampshire SO21 2JN, c/o IBM United Kingdom
Limited Intellectual Property Law Hursley Park (GB)
(72) HUMMEL, John, P., Millbrook, NY 12545, 117 Killearn Road (US)
(72) ROMANKIW, Lubomyr, T., Briarcliff Manor, NY 10510, 7 Dunn Lane (US)
(72) ROTHWELL, Mary, B., Ridgefield, CT 06877, 36 Woodland Way (US)
(30) US 2007 01 05 620497
(73) STMicroelectronics (Rousset) SAS, 13790 Rousset, ZI de Peynier Rousset
Avenue Coq (FR)
(54) Chip mit einem integrierten Schaltkreis und einer Schutzvorrichtung gegen
Angriffe
(72) Lisart, Mathieu, 13100 Aix en Provence, 7, avenue d'Indochine (FR)
(72) Sarafianos, Alexandre, 13014 Marseille, Résidence Les Chlorophylles Appt
D33 - Chemin du Bassin (FR)
(30) FR 2011 06 17 1155342
(73) STMicroelectronics (Rousset) SAS, 13790 Rousset, ZI de Peynier Rousset
Avenue Coq (FR)
(54) Chip mit einem integrierten Schaltkreis und einer Schutzvorrichtung gegen
Angriffe
(72) Lisart, Mathieu, 13100 Aix en Provence, 7, avenue d'Indochine (FR)
(72) Sarafianos, Alexandre, 13014 Marseille, Résidence Les Chlorophylles Appt
D33 - Chemin du Bassin (FR)
(72) Gagliano, Olivier, 13013 Marseille, 49, Traverse Collet Redon (FR)
(72) Mantelli, Marc, 13710 Fuveau, 9, Jardins du Stade (FR)
(30) FR 2011 06 17 1155343
(73) NXP B.V., 5656 AG Eindhoven, High Tech Campus 60 (NL)
(54) SPANNUNGSSTOSS-SCHUTZSCHALTUNG
(72) CRESPO, Denis, NL-5656 AG Eindhoven, c/o NXP Semiconductors IP&L
Department HTC 60 1.31 (NL)
(72) MARIE, Herve, NL-5656 AG Eindhoven, c/o NXP Semiconductors IP&L
Department HTC 60 (NL)
(72) LE, Nguyen, Trieu, Luan, NL-5656 AG Eindhoven, c/o NXP Semiconductors
IP Department HTC 60 (NL)
(72) LUCAS, Mickael, NL-5656 AG Eindhoven, c/o NXP Semiconductors IP
Department HTC 60 1.31 (NL)
(30) EP 2007 10 17 07118671
(73) Samsung Display Co., Ltd., Yongin-City, Gyeonggi-Do, 446-711, 95, Samsung
2 Ro Giheung-Gu (KR)
(54) Organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung und Verfahren zu ihrer
Herstellung
(72) Shin, Hey-Jin, Gyunggi-do, Legal & IP Team, San 24, Nongseo-dong,
Giheung-gu Yongin-city (KR)
(72) Kwak, Won-Kyu, Gyunggi-do, Legal & IP Team, San 24, Nongseo-dong,
Giheung-gu Yongin-city (KR)
(30) KR 2008 05 14 20080044454
(73) Canon Kabushiki Kaisha, Tokyo 146-8501, 30-2 Shimomaruko 3-chome Ohta-
ku (JP)
(54) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES DÜNNFILMTRANSISTORS
(72) YABUTA, Hisato, Tokyo 146-8501, c/o CANON KABUSHIKI KAISHA 30-2
Shimomaruko 3-chome Ohta-ku (JP)
(72) ENDO, Ayanori, Tokyo 146-8501, c/o CANON KABUSHIKI KAISHA 30-2
Shimomaruko 3-chome Ohta-ku (JP)
(72) KAJI, Nobuyuki, Tokyo 146-8501, c/o CANON KABUSHIKI KAISHA 30-2
Shimomaruko 3-chome Ohta-ku (JP)
(72) HAYASHI, Ryo, Tokyo 146-8501, c/o CANON KABUSHIKI KAISHA 30-2
Shimomaruko 3-chome Ohta-ku (JP)
(30) JP 2007 04 25 2007115617
(73) National Institute for Materials Science, Tsukuba-shi, Ibaraki 305-0047, 2-1
Sengen 1-chome (JP)
(54) METALLELEKTRODE UND HALBLEITERELEMENT DAMIT
(72) OHMORI, Kenji, Tokyo 162-0041, c/o Nano Technology Research Laboratory
Waseda University 513 Wasedatsurumaki-cho Shinjuku-ku (JP)
(72) CHIKYO, Toyohiro, Tsukuba-shi Ibaraki 305-0047, c/o National Institute For
Materials Science 2-1 Sengen 1-chome (JP)
(30) JP 2007 12 07 2007317614
(73) NXP B.V., 5656 AG Eindhoven, High Tech Campus 60 (NL)
(54) LDMOS mit einer Feldplatte
(72) DE BOET, Johannes, Adrianus, Maria, NL-5656 AE Eindhoven, c/o NXP B.V.
Intellectual Property&Licensing Department High Tech Campus 32 (NL)
(72) PEUSCHER, Henk, Jan, NL-5656 AE Eindhoven, c/o NXP B.V. Intellectual
Property&Licensing Department High Tech Campus 32 (NL)
(72) BRON, Paul, NL-5656 AE Eindhoven, c/o NXP B.V. Intellectual
Property&Licensing Department High Tech Campus 32 (NL)
(72) THEEUWEN, Stephan, Jo, Cecile, Henri, NL-5656 AE Eindhoven, c/o NXP
B.V. Intellectual Property&Licensing Department High Tech Campus 32 (NL)
(30) EP 2008 07 22 08160869
(73) Eppstein Technologies GmbH, 65817 Eppstein, Burgstraße 81-83 (DE)
(54) Verbundsystem für Photovoltaik-Anwendung mit Metallfolienrückseite
(72) Waegli, Dr. Peter, 5620 Bremgarten, Bibenlosstraße 41 (CH)
Österreichisches Patentblatt 111. Jahrgang Nummer 4, Seite 1056
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